不同助熔剂体系下Ga_3PO_7单晶的生长与表征(英文)

作者：郭永解; 李静; 王继扬; 韩树娟; 王永政

来源：硅酸盐学报, 2011, 39(08): 1339-1343.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2011.08.004

• 磷酸三镓单晶
• 助熔剂体系
• 光学性能
• 热学性能
• 顶部籽晶缓冷法 trigallium phosphorus heptoxide single crystal
• flux system
• optical property
• thermal property
• top-seeded solution-growth slow-cooling method

在X2CO3–MoO3(X=Li,K)助熔剂体系下,采用顶部籽晶缓冷法生长出厘米级磷酸三镓(Ga3PO7)晶体。实验结果表明:X2CO3–MoO3助熔剂适合Ga3PO7单晶的生长。通过测量Ga3PO7单晶的紫外–近红外光谱和中红外光谱研究了其基本光学性能。在K2CO3–MoO3助熔剂体系下,生长的Ga3PO7晶体(101)晶面的透过率达到89%。热学性能测试表明:Ga3PO7晶体具有高的温度稳定性(在K2CO3–MoO3助熔剂体系下高达1 621.15 K),Ga3PO7晶体的导热性良好,且各向异性不明显,有利于其应用。从Li2CO3–MoO3和K2CO3–MoO3两种助熔剂体系中生长的Ga3...

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 山东大学