界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响

作者：周骏; 邸明东; 孙铁囤; 孙永堂; 汪昊

来源：Acta Physica Sinica, 2010, 59(12): 8870-8876.

• 硅异质结太阳电池
• 衬底电阻率
• c-Si(p)/a-Si:H界面缺陷 Si heterojunctions solar cell
• substrate resistivity
• defects on the interface of c-Si(p) /a-Si:H

在异质结前界面缺陷态密度Dit1和异质结背界面缺陷态密度Dit2均取不同值时,对p型单晶硅(c-Si(p))为衬底的硅异质结太阳电池的衬底电阻率ρ与电池性能的关系进行了数值研究.结果表明:衬底电阻率的最优值ρop取决于前界面缺陷态密度Dit1,且ρop随着Dit1的增大而增大;当ρ>ρop时,背界面缺陷态密度Dit2对衬底电阻率的可取值范围具有较大影响,Dit2越大衬底电阻率的可取值范围越小.

• 单位
  江苏大学; 宁波大学; 常州亿晶光电科技有限公司