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摘要
本工作建立了非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管（thin-film transistor， 简称TFT）的仿真模型，仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道层厚度两个参数对IGZO TFTs特性的影响规律。研究结果表明，当半导体层带尾态密度增加到1.5×1019 cm-3·eV-1及以上时，器件电学特性受深陷阱态影响劣化，亚阈值摆幅增加；沟道层薄膜厚度较小（< 40 nm）时，器件的转移特性良好，当沟道层薄膜厚度超过40 nm时，器件的电学特性劣化，关态电流增加，开关比降低，亚阈值摆幅增加。本工作数值仿真分析方法可为设计制备IGZO TFTs提供一定的理论基础和实验指导。
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