常压下Se和Te电子结构和弹性性质的第一性原理计算

作者：刘浩; 王晓明; 朱岩; 郝爱民

来源：吉林大学学报(理学版), 2011, (01): 121-124.

DOI：10.13413/j.cnki.jdxblxb.2011.01.020

• 第一性原理计算
• 能带结构
• 弹性系数
• 德拜温度 first-principles calculation
• energy band structure
• elastic coefficient
• Debye temperature

利用基于密度泛函的第一性原理,计算ⅥA族元素Se和Te在常压下的能带结构、电子态密度、弹性系数和德拜温度.能带结构和电子态密度的计算结果表明:Se为间接带隙半导体,Se费米面附近的导带和价带主要来自外层4p4电子的贡献,4s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少;Te为直接带隙半导体,Te费米面附近的导带和价带主要来自外层5p4电子的贡献,5s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少.弹性系数计算结果表明:常压下具有六角结构的Se和Te的力学性质稳定;其德拜温度分别为263 K和315 K.

• 单位
  石家庄职工大学; 亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室; 燕山大学; 河北科技师范学院