基于平面应变问题结合有限元H法,分析了励磁情形下缺陷形状、尺寸及位置对超导体感应电流密度、磁场和应力的影响。结果表明:相对于无缺陷超导体,含缺陷时能显著提高超导体的磁通俘获能力;降磁阶段超导体受到更大的拉应力,容易出现径向裂纹和损伤破坏;缺陷位置通过改变再磁化边缘位置影响电流密度分布规律;超导体含缺陷时,缺陷位置的应力集中与电流密度存在正向相关性,应力集中程度越大,电流密度越大;当圆孔缺陷位于超导体中心且缺陷半径小于0.2R时,随着缺陷半径增大径向应力和环向应力变化速率加快。
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