新型闪烁晶体Gd3(Al,Ga)5O12:Ce3+的研究进展

作者：孟猛; 祁强; 丁栋舟^*; 赫崇君; 施俊杰; 任国浩

来源：人工晶体学报, 2019, 48(08): 1386-1394.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.08.002

• 闪烁晶体
• 掺杂
• GAGG
• 光输出
• 能量分辨率

无机闪烁晶体在核辐射探测领域有重要的应用,铈掺杂铝酸钆镓(Gd3(Al,Ga)5O12:Ce,缩写为GAGG:Ce)闪烁晶体性能优良,在高能物理、γ相机等应用领域有广阔的应用前景,因此成为了当前闪烁体领域的研究热点。本文总结了GAGG:Ce闪烁晶体近年来主要的研究进展;分析了GAGG:Ce晶体的结构及其稳定性;阐述了反位缺陷对晶体发光性能的影响;通过"带隙工程"理论解释了Gd、Ga离子掺杂消除反位缺陷的机理;总结了近年来GAGG:Ce晶体生长中存在的问题及解决途径;梳理了GAGG:Ce晶体的发光机理、闪烁性能及其影响因素;对各国团队通过阳离子掺杂的"缺陷工程"理论抑制GAGG:Ce晶体闪烁衰减慢分量的研究进行分析总结;展望了GAGG:Ce闪烁晶体发展方向。

• 单位
  南京航空航天大学; 上海理工大学; 中国科学院大学; 航天学院; 中国科学院上海硅酸盐研究所