拓扑半金属FeSn2的单晶生长及电磁阻效应研究

作者：吴林; 王胜; 陈浩泽; 成立; 邹雨宸; 周文杰; 张莉^*

来源：功能材料, 2023, 54(07): 7115-7130.

• 拓扑半金属
• FeSn2单晶
• 电磁阻效应

联合使用助熔剂法和气相输运法生长了FeSn2单晶，尺寸约为2 mm×0.8 mm×0.8 mm。XRD和EDS分析表明单晶中Fe:Sn配比为33.3%∶66.7%=1∶2。PPMS和MPMS分析发现：FeSn2的电阻效应为：(1)具有大的剩余电阻率，为RRR=320;(2)非费米液体行为；(3)不符合Kohler准则。FeSn2的磁阻效应为：(1)具有大的非饱和磁阻——磁场为6.4×106 A/m时，MR=6.8;(2)具有大的角磁阻——B与I夹角为90°,磁场为6.4×106 A/m时，MR=6.7;(3)在低温区间(2,10 K)能观察到明显的sdH振荡现象。这些显著的拓扑输运特征从实验上表明FeSn2单晶是拓扑磁性半金属，其奇异的电磁阻效应未来可望制成低能耗电子器件。

• 单位
  中国计量大学