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摘要
基于0.35μm CMOS工艺设计实现了一款抗辐射模数转换器（ADC）。通过分析每级流水线分辨率对整体性能和功耗的影响，确定了2 bit/级的流水线结构；同时，针对宇航应用环境，分析了主要的辐射机理，并对ADC进行了抗辐射加固设计。测试结果显示，在2.5 V电源电压、20 MS/s转换速率以及奈奎斯特输入频率条件下，该ADC信噪比（SNR）达到69.9 dB,无杂散动态范围（SFDR）达到84.9 dBc,功耗为60.2 mW,面积为1.988 mm2。在抗辐射性能方面，该ADC的抗稳态总剂量（TID）能力达到100 krad（Si）,单粒子闩锁（SEL）阈值达到75 MeV·cm2/mg,非常适用于轨道辐射环境中。
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