千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究

作者：黄乐旭^*; 应贤炜; 梅海; 丁晓明; 杨建; 王佃利

来源：现代雷达, 2019, 41(09): 76-82.

DOI：10.16592/j.cnki.1004-7859.2019.09.017

• 硅横向扩散金属氧化物半导体
• 千瓦级
• 微波功率晶体管

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W。在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100μs、占空比为20%、输入功率为6 W的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23.5 dB,漏极效率74.4%,电压驻波比10∶1。该晶体管已实现工程应用。