基于响应面法的单晶硅CMP抛光工艺参数优化

作者：卞达; 宋恩敏; 倪自丰; 钱善华; 赵永武^*

来源：金刚石与磨料磨具工程, 2022, 42(06): 745-752.

DOI：10.13394/j.cnki.jgszz.2022.0081

• 化学机械抛光
• 硅
• 响应面法
• 材料去除率
• 表面粗糙度

为提高单晶硅化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)的表面质量和抛光速度，通过响应面法优化CMP抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量3个工艺参数，结果表明抛光压力、抛光盘转速、抛光液流量对材料去除率和抛光后表面粗糙度的影响依次减小。通过数学模型和试验验证获得最优的工艺参数为：抛光压力，48.3 kPa；抛光盘转速，70 r/min；抛光液流量，65 mL/min。在此工艺下，单晶硅CMP的材料去除率为1 058.2 nm/min，表面粗糙度为0.771 nm，其抛光速度和表面质量得到显著提高。

• 单位
  江南大学