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摘要
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究，通过构建完美体系的WSe2模型以及分别在体系中引入本征缺陷如W原子空位、Se原子空位等，并对这三种模型施加0%到10%的拉伸应变，计算研究WSe2的磁电子性质变化情况。计算研究发现，完美WSe2单层材料是一个没有磁性的半导体，其禁带宽度为2.1eV左右；缺失一个Se原子的WSe2在应变较小时没有磁矩，而当应变达到一定值时磁矩会突增至2.0μB。当WSe2引入一个W空位后，其电子结构性质会发生显著改变，比如将会产生4.0μB左右的磁矩、禁带宽度变为0等。
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单位河北科技大学; 河北政法职业学院
