A位掺杂对BF-PZT压电陶瓷性能的影响

作者：张元松^*; 钟敏; 张静; 燕周民; 赖炜

来源：中国陶瓷工业, 2020, 27(04): 10-13.

DOI：10.13958/j.cnki.ztcg.2020.04.003

• BF-PZT压电陶瓷
• A位掺杂
• 介电和压电性能
• 介电弛豫特性

采用XRD分析了固相法制备0.10BF-0.90PZT压电陶瓷不同锆钛比的相结构,并研究了A位掺杂量对体系介电、压电性能的影响。研究表明:体系的相结构均为单一的钙钛矿结构;随着锆钛比的降低,体系的相结构由三方相向四方相转变,且体系的准同型相界位于锆钛比为1.24附近;在锆钛比为1.24组分中A位掺杂量为0.16时,介电和压电性能达到最佳值,即:相对介电常数(ε33T/ε0)为4118、机电耦合系数(kp)为0.85、压电常数(d33)为803 pC/N、介电损耗(tanδ)为2.21%、机械品质因子(Qm)为49.8;居里温度(Tc)为214℃且掺杂浓度达到饱和;并发现该体系具有典型的介电弛豫特性。

• 单位
  贵州振华红云电子有限公司