无基片空间合成的220 GHz三次倍频电路研究

作者：胡南

来源：红外与激光工程, 2019, 48(02): 264-267.

• 太赫兹
• 无基片
• GaAs平面肖特基二极管
• 空间合成

基于四阳极结同向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了无基片空间合成的220GHz三次倍频电路。采用四支肖特基二极管协同工作,在脊波导小片上下两侧各倒装焊接两支肖特基二极管,构成上下反向结构。采用场路结合的方式,对倍频电路的倍频效率进行了仿真。仿真结果显示输入功率为300 mW,输出频率为213～229 GHz时,倍频效率大于3%;采用E波段功率放大器推动三次倍频电路,获得了倍频器输出功率。测试数据表明,驱动功率为300m W时,输出频率为213～229GHz时,输出功率大于5 dBm,倍频效率为1%～2%。