直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性

作者：袁国栋; 叶志镇; 曾昱嘉; 吕建国; 钱庆; 黄靖云; 赵炳辉; 朱丽萍

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (06): 668-673.

• Al
• N共掺杂技术
• p-ZnO
• 直流反应磁控溅射 Al and N codoping method
• DC reactive magnetron sputtering

报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 10 2 ～ 10 3 Ω·cm ,载流子浓度为 10 15～ 10 16cm-3 ,迁移率为 0 5～ 1 32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ...

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室