一种基于SiGe工艺的高速宽带D/A转换器

作者：臧剑栋; 杨卫东; 李静; 张世莉; 刘军

来源：微电子学, 2023, 53(03): 372-378.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220330

• D/A转换器
• CML逻辑
• SiGe工艺
• 低延迟

介绍了一款基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的12位4.5 GSPS D/A转换器。首先给出了低延迟高速率DAC设计对制造工艺器件参数的约束评估，设计采用了低延迟架构和CML逻辑。一种创新的输出模式架构突破了大多数DAC输出频谱sin(x)/x包络的极限，有效扩展了DAC的线性度。同时，该架构减小了关节节点的寄生电容和电感，扩展DAC可用模拟输出带宽至5.9 GHz,该DAC芯片流片测试结果显示其转换速率达到了4.5 GHz,延迟时间少于3.5个时钟周期，转换器在时钟频率4.5 GHz,输出模拟信号频率4.455 GHz时，SFDR达到57 dBc。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十四研究所