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摘要
本发明公开了一种垂直铁电场效应晶体管的制备方法和由此方法制备的垂直铁电场效应晶体管,该方法通过将源漏电极用绝缘层隔开之后,刻蚀掉多余的绝缘层,然后再在源漏电极之间制备半导体,最后制备栅绝缘层和栅极。该制备方法将源漏电极用绝缘层隔开之后,将半导体沟道层形成于覆盖部分源漏电极以及绝缘层的侧壁处,避免了传统的垂直铁电场效应晶体管制备方法中将源/漏极直接沉积在半导体沟道成上,对半导体沟道层的损伤,由此方法制备的垂直铁电场效应晶体管,第一电极和第二电极用绝缘层间隔,半导体沟道层覆盖部分第一电极,部分第二电极以及绝缘层侧壁,栅绝缘层采用铁电材料,具有高开关比、较大的记忆窗口和良好的保持特性。
- 单位
