HCVD方法中生长温度和氨气流量对InN晶体结构和形貌的影响

作者：张哲; 于斌; 李天保^*; 余春燕; 贾伟; 郭俊杰; 许并社

来源：太原理工大学学报, 2020, 51(06): 789-793.

DOI：10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2020.06.002

• InN
• InCl3
• HCVD
• 取向
• XRD

实验以升华温度较低的三氯化铟(InCl3)为铟源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置扩大了Ⅲ、Ⅴ族源共混生长区域,实现了InN在Si(111)衬底上的生长。探讨了生长温度与氨气流量对InN结构和形貌的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对InN的晶体结构、形貌和元素组成进行表征。分析结果表明:固定NH3流量,随着生长温度的升高,InN形貌由分离的薄片状转变为交织的圆饼状,其中非极性(100)晶面取向性增强,晶体质量得到改善;保持生长温度恒定,增加氨气流量,InN形态由圆饼状转变为垂直的柱状,晶体取向从由非极性面(100)为主向极性(002)面为主的趋势转变。本实验研究对InN纳米材料的可控生长具有指导作用。

• 单位
  太原理工大学