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摘要
本发明公开了一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法,对比对象为现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管。通过掩膜版在现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的栅极上真空热蒸镀出20~40纳米的栅极保护层,再依次采取干氧刻蚀及紫外曝光刻蚀的方式,利用有机薄膜晶体管中栅极的自对准作用,将未被栅极所覆盖的绝缘介电层和半导体沟道层刻蚀。本发明提高了有机半导体沟道载流子产生速率,并且防止源漏电极附近,未被栅极覆盖的半导体沟道层激发出载流子,使关态电流增加。在保持良好电学性能的同时,减小了亚阈值摆幅并且提高了开关比,具有成本低廉、工艺便捷且适用于各类顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的特点。
- 单位
