本发明公开了一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层的两侧表面设有源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面设有源电极,漏极帽层表面设有漏电极,所述N型沟道层沟道底部且靠近源极帽层的一侧设有栅电极,在N型沟道层底部且位于栅电极下方设有与栅电极中心对称的低掺杂层,栅电极的底部与低掺杂层上端紧密接触。与现有技术相比,本发明的场效应晶体管击穿电压得到提高,从而提高器件输出功率密度。
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