直流辉光放电质谱法检测三氧化钼中痕量元素含量

作者：胡芳菲^*; 刘鹏宇; 李继东; 刘红; 赵景鑫; 杨复光

来源：分析试验室, 2023, 42(06): 737-742.

DOI：10.13595/j.cnki.issn1000-0720.2022.040102

• 直流辉光放电质谱(dc-GDMS)
• 三氧化钼
• 痕量元素
• 定量分析

建立了直流辉光放电质谱(dc-GDMS)测定三氧化钼中痕量元素含量的方法，优化了辉光放电参数，考察了三氧化钼制样面积对放电稳定性和灵敏度的影响。在优化条件下，测定2个三氧化钼标准样品BS ZZ42001和BS ZZ42003的相对灵敏度因子RSF1和RSF2，计算得到平均相对灵敏度因子RSFA，对三氧化钼标准样品BS ZZ42002的测定结果进行校正，与BS ZZ42002的标准值比较，除Ti和Cd外，校正后得到的各元素测定值相对误差在±9.5%以内。对未知的三氧化钼样品测定结果进行校正，并与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)和电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)结果对比。t检验结果表明，RSFA校正值与ICP-AES/ICP-MS法测定值无显著性差异。该方法可为三氧化钼中多种痕量元素的快速定量分析提供参考。