溅射功率对MgZnO薄膜晶体管性能的影响

作者：岳廷峰; 高晓红^*; 刘建文; 付钰; 孟冰

来源：吉林建筑大学学报, 2021, 38(01): 79-83.

• MgZnO薄膜晶体管
• 溅射功率
• Mg掺杂量

本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微镜(AFM)和描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌进行探测.实验结果表明,不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管的性能有影响,当Mg靶溅射功率为3 W时,器件电学性能以及薄膜质量最佳,电流开关比为1.54×107,阈值电压为24 V,亚阈值摆幅为1.1 V/decade,界面缺陷态密度为3.82×1012cm-2·e V-1,所占的的原子百分比(at.%)分别为1.54,MgZnO薄膜的均方根粗糙度(RMS)为1.168 nm,粗糙度数值最低.

• 单位
  吉林建筑大学