LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究

作者：廖乃镘; 赵志国; 阙蔺兰; 向华兵; 李贝; 李仁豪

来源：半导体光电, 2015, 36(01): 63-70.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2015.01.015

• 铁离子沾污
• 氮化硅
• 低压化学气相淀积
• 表面光电压

采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施,氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。

• 单位
  中国国防科技信息中心