一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法

作者：宁洪龙; 刘贤哲; 姚日晖; 袁炜键; 张啸尘; 邓宇熹; 周尚雄; 李志航; 史沐杨; 彭俊彪

来源：2018-09-10, 中国, CN201811048754.9.

本发明属于显示器器件领域,具体涉及一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)在基板上沉积栅极；(2)在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；(3)在栅极绝缘层上沉积有源层；(4)在有源层上制备源电极和漏电极,并利用湿法刻蚀进行图形化；(5)将器件进行空气常压退火,退火温度为350℃；(6)在沟道上方制备钝化层。一般制备完器件后,沟道区域含有残留物,会导致器件电学性能恶化,但经过350℃前退火,可以消除沟道区的残留物,提高器件性能。因此,制备小型化器件时,由于当沟道尺寸很小时沟道区的残留物很难去除,需要经过350℃前退火消除沟道区的残留物,从而提高器件性能。

• 单位
  华南理工大学