源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响

作者：徐华; 兰林锋; 李民; 罗东向; 肖鹏; 林振国; 宁洪龙; 彭俊彪

来源：Acta Physica Sinica, 2014, 63(03): 452-457.

• 氧化铟锌
• 源漏电极
• 溅射功率
• 薄膜晶体管

本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT).研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层溅射功率对TFT器件性能的影响.随着Mo层溅射功率的增加,器件开启电压(Von)负向移动,器件均匀性下降.通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析发现IZO/Mo界面有明显的扩散;当Mo层溅射功率减小时,扩散得到了抑制.制备的器件处于常关状态(开启电压为0.5 V,增强模式),不仅迁移率高(～13 cm2·V-1·s-1),而且器件半导体特性均匀.

• 单位
  华南理工大学