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摘要
分别采用氯化钴、乙酸镍、氯化铁和氯化钴-乙酸镍、氯化铁-乙酸镍、氯化铁-氯化钴作为单一金属催化剂和双金属催化剂，以硅树脂RSN-217作为陶瓷前驱体，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球为造孔剂，在Ar气氛下于1400℃通过催化裂解原位生长SiC纳米线并制备SiC纳米线增强的硅氧碳(SiOC)多孔陶瓷，研究了催化剂种类对SiOC多孔陶瓷组成、结构、力学性能及电学性能的影响。结果表明，造孔剂的引入使得SiOC多孔陶瓷孔径大小一致，气孔分布均匀；催化剂的引入促进了SiC纳米线的原位生长，自由碳含量从11%(质量分数)提高到32%，显气孔率从46.2%降低到43.1%。对于原位生长SiC纳米线的效果而言，添加双金属催化剂最好，添加单一金属催化剂次之，不加催化剂的空白样最差，同样力学性能及电学性能也符合该变化规律。其中，由于添加氯化钴-乙酸镍的双金属催化剂原位生长的SiC纳米线数量多、长径比高，并均匀分布，因此该双金属催化剂为本文最佳催化剂，当显气孔率为43.1%时，与空白样相比，耐压强度从7.3 MPa提升至11.2 MPa，提高了53%；体积电导率从9.8×10-5S·cm-1增加到2.13 S·cm-1，提高了4个数量级。
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