摘要

为了提高1.55μm波段DFB激光器的输出性能及高温特性,制作了两种不同结构的InAlGaAs/InP大光腔激光器。两种激光器芯片均在外延设计上采用非对称结构,能够有效减少器件内吸收损耗,从而提高输出功率。对两种芯片均进行了不同腔长、发散角及高温性能测试,可以观测到采用较厚n侧限制层的芯片的输出功率更大。