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摘要
在传统二端忆阻器的理论基础上,提出了一种四端忆阻器的模型.该器件的4个端口分别对应于MOS场效应晶体管的栅、源、漏和衬底4个极,可以代替数字电路中的MOS晶体管实现电路功能.利用Verilog-A对该模型的电学特性进行了描述,在Hspice软件环境中利用该模型构建了与非、或非等逻辑电路以及1 bit数据的1R-1R随机存取电路,并搭建外围电路对其进行了功能验证,在仿真层面实现了四端忆阻器在数字电路方面的简单应用,实验结果符合预期.作为一种纳米器件,与MOS晶体管相比,四端忆阻器的尺寸更小、功耗更低.在CMOS工艺尺寸渐渐趋于极限的今天,对四端忆阻器的应用是一个具有一定合理性的发展方向.
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