应用于片上ESD防护中新式直通型MOS触发SCR器件的研究

作者：郑剑锋; 马飞; 韩雁; 梁海莲; 董树荣; 吴健

来源：固体电子学研究与进展, 2013, 33(03): 294-299.

• 静电防护
• 可控硅整流器
• 嵌入金属氧化物半导体场效应晶体管触发

在基于0.13μm CMOS工艺制程下,为研究片上集成电路ESD保护,对新式直通型MOS触发SCR器件和传统非直通型MOS触发SCR进行了流片验证,并对该结构各类特性进行了具体研究分析。实验采用TLP(传输线脉冲)对两类器件进行测试验证,发现新式直通型MOS触发SCR结构要比传统非直通型MOS触发SCR具有更低的触发电压、更小的导通电阻、更好的开启效率以及更高的失效电流。

• 单位
  浙江大学