γ-LiAlO_2晶体的生长及掺镓研究

作者：彭观良; 庄漪; 邹军; 王银珍; 刘世良; 周国清; 周圣明; 徐军; 干福熹

来源：人工晶体学报, 2005, (03): 399-402.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.03.004

• 晶体生长
• 提拉法
• γ- LiAlO2
• LiAl1-xGaxO2
• 掺质 crystal growth
• Czochralski technique
• γ-LiAlO_2
• LiAl_(1-x)Ga_xO_2
• dopant

由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γLiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料。本文首先使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3的γLiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1 xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征。结果表明LiAl1 xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γLiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1。

• 单位
  中国科学院上海光学精密机械研究所; 中国科学院研究生院