由RTD/MOSFET构成的新型振荡电路

作者：王伟; 牛萍娟; 郭维廉; 于欣; 张世林

来源：半导体学报, 2007, 28(02): 289-293.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.02.029

• 关键字:RTD/MOSFET串联单元
• 振荡器
• ADS电路仿真

基于一种新型的振荡机制,利用共振隧穿二极管(RTD)固有的负阻和双稳特性,与MOSFET器件相结合,首次实现了工作频率约为25MHz的RTD/MOSFET高频振荡电路.文章首先从理论上深入分析了该电路的振荡机理,然后通过高级设计系统(ADS)软件仿真和实验验证了此振荡电路的正确性.该电路的实现有望解决传统的基于RTD的振荡电路的功率限制问题,如果进一步用高电子迁移率晶体管(HEMT)等高频、高速器件取代MOS-FET,可以在很大程度上提高这一电路的工作频率,并可实现RTD/HEMT的单片集成.因此该振荡电路在微波和射频领域具有广阔的应用前景.

• 单位
  天津工业大学; 天津大学; 电子信息工程学院