锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响

作者：江慧华; 杨德仁; 田达晰; 马向阳; 李立本; 阙端麟

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2005, (11): 62-65.

• 重掺硼直拉硅
• 锗
• 氧沉淀 heavily boron-doped Czochralski silicon
• germanium
• oxygen precipitation

通过单步长时间退火(650~1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h+1000℃/16h和800℃/4~128h+1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺入抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 浙江大学