ICPCVD-SiNx对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究

作者：刘秀娟; 张燕; 李向阳

来源：半导体光电, 2015, 36(01): 20-23.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2015.01.005

• GaN/AlGaN
• 紫外探测器
• 暗电流
• ICPCVD
• 钝化膜

采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/AlGaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比。制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3MV/cm。采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果。结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52A/cm2。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室; 中国科学院大学