基于毛细填缝效应的CGA器件植柱连接

作者:董健; 范玉钧; 李宝盛; 曹荣楠; 赵智力*
来源:电子与封装, 2020, 20(06): 10-14.
DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0608

摘要

针对CGA器件在制造过程中存在的连接质量易受辅助模具影响、辅助模具通用性差、成本高等问题,采用一种基于毛细填缝效应的CGA焊柱成型方法。以Sn58Bi+Sn37Pb为主要研究对象,研究了温度、时间、毛细间隙等因素对连接质量的影响。通过金相显微镜对焊件微观组织形貌进行观察,借助推拉力计对植柱焊点的性能进行表征。研究结果表明,随着回流时间和回流温度的增加,IMC层厚度增大,植柱焊点性能提高,融合区Bi相逐渐向锡铅相扩散。毛细间隙大小由0.025 mm增大到0.075 mm时,界面处空洞率明显降低,拉拔强度逐渐增大,界面强度提高。Sn58Bi与Sn37Pb钎料融合区处,Sn58Bi钎料合金微观组织致密网状结构改变。