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摘要
为减少碳化硅（silicon carbide，SiC）金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET）的开关时间和导通电阻以提高效率，通常建议驱动电路采用更低的驱动电阻及更高的驱动电压。但是，由于实际驱动电路中存在寄生参数，过快的开关速度容易产生振荡影响栅极的可靠性，限制SiC MOSFET长期高效安全运行。本文以SiC MOSFET驱动电路为研究对象，分析SiC MOSFET开通瞬态过程，建立了考虑电路主要寄生参数的数学模型；定量分析了驱动电路参数、主电路寄生参数及工况等影响因素对栅源电压的影响规律；揭示栅源电压、实验测试点电压与驱动电压的区别及影响因素；综合考虑器件应力与损耗，提出了一种驱动电路参数优化设计方法。实验结果验证了数学模型与分析的正确性。
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