车规级LIN总线中55V摆率增强型LDO

作者：孙力; 王志亮; 崔子豪; 章一鸣; 陈靖

来源：半导体技术, 2023, 48(09): 776-786.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.09.007

• 高压型低压差线性稳压器(LDO)
• 高压预调制
• 负载电流
• 摆率增强
• 电源抑制比(PSRR)

针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题，提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路，提高了高压LDO的电源抑制比；通过一种新型摆率增强电路，改善了高压LDO的瞬态响应。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成建模，仿真结果显示，电压可调范围为5.5～55 V,输出5 V;负载电流为800 mA;低频电源抑制比为96 dB;1μs内负载电流从1 mA跳变到800 mA时，输出端最大上冲电压为26.6 mV,响应时间为8μs;下冲电压为45.4 mV,响应时间为7μs,满足车规级局域互联网(LIN)总线中高压LDO的性能要求。

• 单位
  南通大学