电子封装材料是满足现代电子信息技术对电子产品小型化、便携化、低成本而诞生的产物。然而,由于碳化硅铜基复合材料(加入微米级、纳米级SiC和SiC晶须的铜基复合材料)的难烧结性和制备成本较昂贵等问题,使得降低碳化硅铜基复合材料的烧结温度和寻找新的廉价的生产工艺仍是材料工作者的研究重点。分析了碳化硅铜基电子封装材料的优点;介绍了制备碳化硅铜基复合材料常用的几种方法;论述了烧结温度对材料力学性能的影响;提出了研发安全可靠、长寿命和高性能电子封装材料的主要方法。
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