基于GaN HEMT的非对称型Doherty功率放大器设计

作者：汪荣昌^*; 陈新宇; 张吕; 陈志勇; 祝超; 曾瑞峰

来源：固体电子学研究与进展, 2021, 41(05): 343-358.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2021.05.004

• 氮化镓高电子迁移率晶体管
• Doherty功放
• 小型化
• 数字预失真

采用SiC衬底0.45μm GaN HEMT工艺,设计了一款GaN混合集成两级非对称Doherty功放,在较大的回退状态下仍具有较高的效率。为了减小芯片尺寸,采用无源集总元件搭建功率分配器,同时采用π型结构替代1/4λ阻抗变换线。测试结果表明:在3.4～3.6 GHz的频率范围内,饱和功率达到45.2 dBm,饱和效率达到53.2%。输出功率回退8 dB时的效率达到40%,线性增益达到24 dB。以80 MHz带宽LTE信号作为输入,经过数字预失真(DPD)技术优化后的邻信道功率比(ACPR)为-50.8 dBc。电路尺寸为10 mm×6 mm。

• 单位
  南京邮电大学; 南京国博电子有限公司