氧化锆量子点用于非易失性电阻式随机存取存储器（英文）

作者：Xiang-lei HE; Rui-jie TANG; Feng YANG^*; Mayameen S.KADHIM; Jie-xin WANG; Yuan PU; Dan WANG

来源：Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 2019, 20(12): 1698-1706.

• 氧化锆量子点
• 电阻开关
• 存储器件
• 旋涂法

提出一种利用氧化锆量子点作为有源层的非易失性电阻式随机存取器。通过旋涂法制备Ag(上)/ZrO2(有源层)/Ti(下)典型的三明治结构存储器件。该优化器件具有较高高/低电阻差(约10?),良好循环性能(循环数大于100),较低转化电流(约1μA)。通过原子力显微镜和扫描电子显微镜观察ZrO2有源层表面形貌和堆积状态。实验结果表明,ZrO2有源层紧密堆积,且由于ZrO2量子点分布均匀,ZrO2有源层粗糙度较低(Ra=4.49 nm)。分析了Ag/ZrO2/Ti器件导电机理,并研究银离子导电丝和氧空位对电阻开关记忆行为的影响。该研究为忆阻器材料开发提供了一种简单方案。

• 单位
  西南交通大学; 有机无机复合材料国家重点实验室; 北京化工大学