用射频磁控溅射法在硅基底上成功制备出具有低电阻率的单一四方相二硅化钼薄膜,并通过X射线衍射仪、原子力显微镜及四探针电阻测试仪对退火前后的薄膜样品进行了结构和电学性能分析。结果表明:薄膜的电学特性强烈依赖于薄膜的微结构和相组成。沉积态薄膜主要为非晶结构。经高温退火后,薄膜的晶态结构发生显著的变化,晶化效果明显提高,薄膜方阻大幅降低。
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