SiO2/Si衬底上热化学气相沉积法直接生长石墨烯

作者：陈彩云; 于晓华; 戴丹; 江南; 詹肇麟; 刘忠; 刘建雄

来源：材料热处理学报, 2016, 37(01): 205-208.

DOI：10.13289/j.issn.1009-6264.2016.01.037

• 石墨烯
• SiO2/Si
• 镍膜
• 热化学气相沉积

采用化学气相沉积法,以Si O2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响。选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征。结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在Si O2/Si基板上获得高质量的单层石墨烯。

• 单位
  中国科学院; 昆明理工大学