CeO2抛光液对SiO2介质的抛光性能

作者：杨朝霞; 张保国^*; 阳小帆; 李烨; 李浩然

来源：电镀与涂饰, 2021, 40(04): 247-253.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2021.04.001

• 二氧化铈
• 二氧化硅
• 化学机械抛光
• 材料去除速率
• 表面粗糙度
• 氨基酸
• 表面活性剂

以CeO2为磨料配制抛光液,研究了磨料质量分数、pH及添加剂对SiO2介质去除速率和表面粗糙度的影响。结果表明,在抛光液的磨料质量分数为1%,pH为5的条件下,SiO2介质的去除速率为248.9 nm/min。向其中加入质量分数为1%的L-脯氨酸或0.075%的阴离子表面活性剂TSPE-PO(三苯乙烯基苯酚聚氧乙烯醚磷酸酯)后,SiO2介质的去除速率分别提高至268.6 nm/min和302.5 nm/min,表面粗糙度(Rq)从原来的0.588 nm分别变为0.601 nm和0.522 nm。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学