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摘要
以智慧芽专利数据库中收录的全球126个国家/地区的半导体光刻胶相关专利文献作为研究对象，从专利申请量、申请趋势、专利法律状态、地域分布、主要申请人和技术分布等方面，分析了近50年全球半导体光刻胶领域的发展现状，并利用该领域内排名前十的国外主要申请人的专利进行关键技术识别。研究发现：全球半导体光刻胶专利活动可分为四个阶段，中国专利申请变化趋势与全球变化趋势基本一致，但中国在此领域的发展较晚且专利申请总量低于美日韩等发达国家；美日韩三国在半导体光刻胶领域处于领先地位，其中日本掌握着该领域的核心技术并长期处于垄断地位，而我国与此相比还处于发展阶段；国外代表企业在半导体光刻胶领域的关键技术主要集中在光刻胶成分结构设计及其合成工艺设计与优化上。
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