一种高精度CMOS过温保护电路

作者:陈思良
来源:数字技术与应用, 2018, 36(12): 160-161.
DOI:10.19695/j.cnki.cn12-1369.2018.12.88

摘要

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种过温保护电路。通过采用调整特定电阻技术产生温度迟滞量,有效避免振荡。仿真结果表明,当温度超过106℃时电路关断,当温度降低至84℃时电路开启,迟滞量为22℃。

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