摘要

半导体温度传感器在核电站服役期间会受到腐蚀性环境及高剂量辐照环境等一系列的有害影响,将温度监测传感器置于防辐照铅套筒的传统处理办法无法保障传感器长周期的可用性。为保障核电站的安全正常运行,迫切需要对核电站中大量半导体温度传感器进行辐照加固。通过分析核电站中各种辐照环境下电子器件的老化机制,判断中子和伽马射线对电子器件伤害更大,确认了辐射屏蔽的重点。结合中子和伽马射线的屏蔽机制,对比了不同射线屏蔽材料,其中钙钛矿材料表现出很好的射线屏蔽效果。针对其优秀的射线屏蔽性能,重点研究了钙钛矿的制备方法及在辐射屏蔽材料中的优势,丰富了辐射屏蔽材料的机理研究,有助于未来半导体温度传感器辐照加固技术的发展。