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摘要
受栅氧界面态影响，SiC MOSFET阈值电压不稳定，这种性质干扰了阈值电压的测试结果。本文总结了4种阈值电压提取方法和3种不同的测试电路，比较了不同方法的异同点和逻辑联系，讨论了栅极电压预偏置技术的原理、实施方式。最后总结了现有技术，基于工程应用给出了关于阈值电压测试的建议。
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受栅氧界面态影响，SiC MOSFET阈值电压不稳定，这种性质干扰了阈值电压的测试结果。本文总结了4种阈值电压提取方法和3种不同的测试电路，比较了不同方法的异同点和逻辑联系，讨论了栅极电压预偏置技术的原理、实施方式。最后总结了现有技术，基于工程应用给出了关于阈值电压测试的建议。
