MOCVD生长的GaN基LED的应力分析（英文）

作者：张恒; 曲爽; 王成新; 胡小波; 徐现刚

来源：人工晶体学报, 2015, 44(12): 3811-3815.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.12.081

• 氮化镓
• 金属有机化学气相沉积法
• 翘曲度

使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性。结果表明通过减薄外延层的厚度和降低n型层的生长速率,弯曲度、翘曲度及应力均得到有效的降低。与此同时,外延片的波长均匀性得到了进一步的提高。

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 山东浪潮华光光电子股份有限公司; 山东大学