InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响

作者：田方坤; 艾立鹍; 孙国玉; 徐安怀; 黄华; 龚谦; 齐鸣

来源：红外与毫米波学报, 2022, (4): 726-732.

DOI：10.11972/j.issn.1001-9014.2022.04.011

• InyAl1-yAs线性渐变缓冲层
• 磷化铟
• 高电子迁移率场效应晶体管

采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对In0.66Ga0.34As/InyAl1-yAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响.研究了不同厚度和不同铟含量的InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响.结果表明,在300 K(77 K)时,电子迁移率和电子浓度分别为8570 cm2/(Vs)-1(23200 cm2/(Vs)-1)3.255E12 cm-2(2.732E12 cm-2).当InyAl1-yAs线性渐变缓冲层厚度为50 nm时,材料的表面形貌得到了很好的改善,均方根粗糙度(RMS)为0.154 nm.本研究可以为HEMT器件性能的提高提供强有力的支持.

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 海南师范大学