基于低温ALD氧化锌/钙钛矿复合膜的光电探测器

作者：龚智鹏; 杨尊先; 郭太良

来源：光电子技术, 2022, 42(04): 274-279.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2022.04.005

• 薄膜晶体管
• 氧化锌
• 钙钛矿薄膜
• 光电探测器

以原子层低温沉积技术（ALD）制备的氧化锌（ZnO）作为薄膜晶体管载流子传输层，将其与光电敏感性极高的CsPbBrI2全无机钙钛矿薄膜复合进一步研制出光电晶体管用于光电探测。氧化锌薄膜晶体管可在150℃低温条件下制备且无需高温退火，同时，CsPbBrI2钙钛矿薄膜也可以在低温工艺下制备。结果显示，CsPbBrI2/ZnO光电探测器表现出较好的性能，可对365 nm至600 nm波长的光辐射有光响应。在500 nm波长的光照射下，最大响应度和探测率分别可达2×10～3A/W和3×1014Jones。CsPbBrI2/ZnO光电晶体管的瞬态响应显示出250 ms的上升时间和200 ms的下降时间，并且在长时间测量后瞬态行为保持不变。