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摘要
本发明涉及一种降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法,包括：在所述第一衬底层上制备氮化物外延层；采用光刻和干法刻蚀工艺从所述氮化物外延层的上表面刻蚀至所述第一衬底层的上表面,以形成若干个阵列排布的氮化物外延子层；采用晶圆键合方法将包含氮化物外延子层的晶圆上表面与第二衬底层通过第一键合层进行键合,得到第一键合片；去除所述第一键合片中的第一衬底层,暴露出所述氮化物外延子层的成核层或者缓冲层,得到第二键合片；将氮化物外延子层的下表面与金刚石衬底层进行晶圆键合,得到第三键合片；去除第二衬底层和第一键合层,得到金刚石基氮化镓晶圆。本发明降低在后续衬底剥离工艺中导致的氮化物外延层薄膜龟裂和破损几率,可有效提高金刚石基GaN晶圆的良品率。
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