摘要
针对现有绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)失效特征预测误差较大的问题,构建一种基于门控循环单元(Gated Recurrent Units,GRU)和自回归整合移动平均模型(Autoregressive Integrated Moving Average model,ARIMA)的门控自回归混合失效预测模型。混合预测模型利用全连接层连接门控循环单元和自回归整合移动平均模型构建成。实验结果表明,门控自回归混合失效预测模型在均方误差、平均绝对误差和最大相对误差上的误差对比现存方法平均减少约12.94%。
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